一种GaN功率器件正负串扰抑制驱动电路设计

2025-06-22 60 1.26M 0

  摘要:GaN功率器件阈值电压较低且栅极反向击穿电压较小,其应用于高频桥式电路时面临的串扰问题更为严峻。为解决该问题,本文提出一种仅由RCD(电阻-电容-二极管)组成,具有正负串扰抑制功能的驱动电路。其基本思路是在驱动回路中引入负压电容抑制正向串扰,在驱动电阻两端并联小电阻抑制负向串扰。在分析所提电路工作模态和主要器件参数的基础上,搭建双脉冲和同步Buck实验平台,验证了该电路对正负串扰的抑制能力。实验结果表明,相较于传统驱动电路,在50V母线电压下,所提驱动电路使器件串扰电压尖峰分别减少3.31V和1.55V,同时提高42%的关断速度并降低78.81%的关断损耗。

  文章目录

  1 引 言

  2 驱动电路工作原理

  3 驱动电路主要器件参数设计

  3.1 稳压二极管D2的选取

  3.2 电容C1的参数选取

  3.3 电阻R1的选取

  3.4 其余器件参数的选取

  4 实验验证

  4.1 实验平台搭建

  4.2 双脉冲测试结果

  4.3 同步Buck测试结果

  5 结论



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