摘要：碳化硅MOSFET凭借其高压、高温、高频及低损耗的优异特性，在新能源汽车、智能电网及航空航天等领域展现出广阔应用前景。然而，相较于成熟的硅基器件，碳化硅MOSFET中的SiC/SiO2栅氧界面处固有缺陷密度较高，导致器件在长期运行中面临阈值电压漂移、栅极漏电流增大等可靠性问题，严重制约其规模化应用进程。本文针对SiC MOSFET栅氧退化机理及状态监测方法展开系统性研究，首先对碳化硅MOSFET器件中栅氧退化的影响进行了系统性分析。然后重点评述了近年来栅氧可靠性监测技术的研究进展，从监测参数线性度、温度依赖性、封装退化影响、在线监测可行性、实施难度及工程可行性六个维度进行对比分析。最后，针对当前研究存在的不足，对碳化硅MOSFET可靠性状态监测方法进行展望。
文章目录
1 引 言
2 碳化硅MOSFET栅氧退化影响分析
2.1 阈值电压的漂移
2.2 栅极漏电流的增大
2.3 栅极电容的变化
3 碳化硅MOSFET栅氧可靠性状态监测方法研究
3.1 基于阈值电压相关电参数的监测方法
3.1.1准阈值电压
3.1.2漏源电阻
3.1.3体二极管压降
3.1.4导通时间
3.1.5米勒平台电压及持续时间
3.1.6 栅极滤波电压
3.2 基于栅极漏电流相关电参数的监测方法
3.2.1栅极漏电流
3.2.2 栅极电荷
3.2.3 源极电压变化速率
3.2.4栅极导通电压
3.2.5 电流镜复制电流
3.3 基于栅极电容相关电参数的监测方法
3.3.1特定输入电容下栅
