一种硅基CMOS 24-30 GHz三倍频器设计

2025-06-17 50 1.36M 0

  本文基于65nm CMOS工艺,设计了一款工作在24–30 GHz频段的三倍频器,旨在提升毫米波通信系统中本振链路的性能。本设计利用了MOS晶体管的非线性特性,通过优化偏置电压和匹配网络,有效增强了三次谐波,同时抑制了基波和高次谐波。本文提出的三倍频器采用两级架构:第一级基于差分的共源共栅架构,针对三次谐波进行了高效提取与放大;第二级为功率放大器,通过负载牵引分析进一步优化了带宽和输出功率。版图后仿真结果表明,该三倍频器的3dB带宽为24–30 GHz,相对带宽达到22%,并在27 GHz处实现了7.4 dBm的饱和输出功率,带内最大转换增益为4.2 dB,基波和五次谐波的抑制分别达29 dBc和28 dBc,在较宽的输入功率范围内均具有良好的性能。本文的设计为毫米波通信中的K/Ka波段本振链路提供了一种高效且紧凑的实现方案。



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