摘要：二维半导体材料凭借其独特的物理特性与优异的电学性能，在后摩尔时代集成电路发展中展现出巨大潜力。开发与二维材料兼容的极性调控方法，已成为基于二维半导体构建互补逻辑电路、实现低功耗且高稳定性信息处理功能的关键，有望为持续提升集成电路性能提供新路径。本研究报道了一种基于一步退火工艺的二维半导体极性调控策略，Pd电极接触的WSe2晶体管的导电特性经退火由n型主导转变为p型主导；而Cr电极接触的器件则始终保持n型主导的导电特性。在此基础上，通过在同一WSe2上选择性制备不同金属材料的源漏电极并结合一步退火工艺，实现了互补晶体管的单片集成，进而通过器件互联实现了反相器功能。在2.5 V的电源电压(Vdd)下，反相器增益达23，总噪声容限达2.3 V(0.92 Vdd)。该研究为二维半导体的极性调控提供了全新的技术路径。
文章目录
1 引 言
2 WSe2晶体管的极性调控
3 WSe2互补晶体管的单片集成
4 基于WSe2 的互补逻辑反相器
5 结论
