摘要：太赫兹辐射源是太赫兹器件的核心组件，其发展水平直接决定了太赫兹技术在各个应用领域的性能和前景。基于常温太赫兹辐射源的几种技术路线，对常温固态太赫兹源的发展现状进行汇总分析，为后续技术研究和应用推广提供参考。重点论述了基于肖特基二极管和硅基CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)的固态太赫兹源的研究进展；对常温固态太赫兹源的潜在应用场景进行了概述，最后对常温固态太赫兹源面临的挑战和未来发展趋势进行展望。
文章目录
0 引言
1 基于肖特基二极管的常温固态太赫兹源
1.1 混合集成式
1.1.1 基于GaAs SBD的常温固态太赫兹源
1.1.2 基于GaN SBD的常温固态太赫兹源
1.2 单片集成式
2 基于硅基工艺的常温固态太赫兹源
3 常温固态太赫兹源应用
3.1 复合材料无损检测
3.2 地面军用无线通信
3.3 人体安检和生物医学检测
3.4 卫星成像和探测
4 未来发展
5 结束语
