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摘要：针对电磁轨道发射武器发射瞬间强磁场脉冲冲击下电子元件损伤、信号饱和等问题，传统解决方法是采用磁屏蔽材料或磁屏蔽结构对电子元件进行防护，但是这些方法存在材料成本高、结构复杂等问题。该文提出了基于磁屏蔽效应在膛内线圈产生反向磁场，实现强磁脉冲作用下磁屏蔽的方法，对传感器元件进行防护。通过对该方法理论推导和仿真模拟线圈磁屏蔽效果，并将静态磁场仿真数据与试验结果进行对比，试验结果表明利用线圈进行磁屏蔽技术的可行性，对输出电压信号屏蔽效果达到77.4%，证实了线圈磁屏蔽技术可用于传感器元件抗强磁脉冲冲击防护。
文章目录
0 引言
1 磁屏蔽原理
1.1 线圈磁屏蔽原理过程
2 线圈磁屏蔽原理仿真
3 磁屏蔽线圈试验验证
3.1 系统总体框架
3.2 屏蔽线圈的试验设计
3.3 试验过程
3.4 试验结果及分析
3.4.1 方波信号磁屏蔽实验
3.4.2 正弦波信号屏蔽仿真与试验对比
3.4.3 脉冲波信号的屏蔽试验
4 结论
