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摘要：提出了一种具有载流子动态调制，可以显著降低关断损耗的双栅绝缘栅双极晶体管（DG-IGBT），并基于Sentaurus TCAD针对栅极控制不同的元胞比例1∶4和1∶2的DG-IGBT进行了电学特性仿真。DG-IGBT通过动态调控载流子分布，在关断时降低漂移区内发射极侧的载流子浓度，促进耗尽区的扩展，加快集电极电压的上升速度，从而减小关断损耗。通过器件仿真与实验测试，系统研究了载流子动态调制对IGBT关断损耗的影响。测试结果表明，在电流密度为100 A/cm2下关断时，元胞比例为1∶2的DG-IGBT关断损耗可以减少22.2%，关断损耗加增加的导通损耗可以减少12.3%；元胞比例为1∶4下，关断损耗可以减少37.2%，关断损耗加增加的导通损耗可以减少33%，有效改善了IGBT导通压降与关断损耗的折中关系。
文章目录
0 引言
1 结构与原理
2 结果与讨论
2.1 静态特性
2.2 关断特性
3 结论
