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摘要：厚度作为半导体薄膜的一个关键参数，直接影响着其工作性能。然而，对于市面上使用较为广泛的微米级厚度的半导体衬底、晶圆片，现存测量方法仍存在精度不够、稳定性差、测量速度较慢等问题。为了解决这一问题，本研究基于红外干涉测厚原理与激光面形检测原理，构建了一个高精度、小型化、低成本的半导体薄膜厚度自适应测量校正系统。实验数据表明，相比于传统的红外干涉测厚系统，使用本文构建的薄膜厚度测量校正系统可以使测量结果的精确性提升约80%，稳定性提升约60%，即使在测量带有倾斜分量的半导体薄膜厚度时，也可以达到同样的效果。该系统实现了对单层薄膜厚度的精确测量，并能够自适应地校正由机械震动或摆放失误导致薄膜产生微小倾角所引入的误差，为解决现有技术在微米级薄膜厚度测量方面所面临的挑战提供了一个解决方案。
文章目录
1 引 言
2 改进的红外干涉测厚及自适应校正方法
2.1 红外干涉测厚原理
2.2 Lomb-Scargle periodogram
2.3 激光干涉厚度校正原理
2.3.1 获取薄膜倾斜分量
2.3.2 厚度校正公式
3 实验与分析
3.1 红外测厚实验
3.2 倾斜厚度校正实验
4 结 论
