摘要：创新性地采用化学镀结合原位电化学氧化策略，在二维平面薄铜片与三维多孔泡沫铜基底上分别构建了硼掺杂镍钴双金属氢氧化物电极体系(NiCo（OH）4（6B）与FNiCo（OH）4（6B）)。XPS与EDX表征表明，两种电极表面活性物质均为Ni/Co原子比接近1∶1的氢氧化物复合结构，且硼元素掺杂量稳定在6%左右。电化学性能测试显示，两类电极均呈现典型赝电容行为与高度可逆的电荷存储机制，其中三维泡沫铜基底负载的FNiCo（OH）4（6B）表现出显著增强的储能性能，其面积比电容较平面基底体系提升超7倍。值得注意的是，两类电极在长循环中均呈现反常的容量激活现象：平面基底电极经10 000次循环后容量保持率达181%，而三维基底电极在1 000次循环后仍维持165%的容量保持率，展现出B掺杂电极材料优异的循环耐久性。EIS动力学分析进一步揭示，FNiCo（OH）4（6B）具有较低的表面电化学反应电荷传递电阻从而提高了其比电容。
