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摘要：本文针对使用传统材料难以制成高稳定性薄膜电阻的问题，基于薄膜电阻导电机理，通过将金属钼(Mo)掺入传统镍铬硅(Ni-Cr-Si)薄膜中，研制了一种新型低电阻温度系数 (temperature coefficient of resistance， TCR)的铬-硅-镍-钼(Cr-Si-Ni-Mo)合金薄膜电阻，以改善薄膜电阻温度系数。系统性探究了溅射功率、时间、气压及退火温度对Cr-Si-Ni-Mo薄膜电学性能的影响，并评估膜层沉积速率。实验结果表明，通过调整溅射工艺及退火温度，使用溅射功率300 W，溅射时间210 S，溅射气压0.4 Pa的溅射工艺，在300 ℃下退火研发出性能优异的Cr-Si-Ni-Mo薄膜电阻，呈现出电阻温度系数为-5.09 ppm/℃的卓越性能。
文章目录
0引 言
1 实验
1.1 实验流程
1.2薄膜电阻导电机理
2 结果与讨论
2.1 溅射功率对Cr-Si-Ni-Mo薄膜电阻的影响
2.2 溅射时间对Cr-Si-Ni-Mo薄膜电阻性能影响
2.3 溅射气压对Cr-Si-Ni-Mo薄膜电阻性能影响
2.4 真空退火温度对Cr-Si-Ni-Mo薄膜电阻性能影响
3 结 论
