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摘要：氮化镓(GaN)基微纳米结构生长技术的成熟为微纳级GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的制备提供了新的途径。本文设计了基于GaN基轴向异质结微纳米柱的微纳级VCSEL结构，采用Al0.8Ga0.2N/In0.2Ga0.8N应变补偿结构作为上下分布式布拉格反射镜(DBR)，其中Al0.8Ga0.2N层的Al组分远高于传统结构中的电子阻挡层，能够更好地起到电子阻挡的作用。本文使用商用软件PICS3D构建了电子阻挡层(EBL)处于不同位置的VCSEL数理模型，并进行数值模拟计算，探索和分析物理机理，解释了不同位置EBL对空穴注入效率影响。结果表明，采用Al0.8Ga0.2N与In0.2Ga0.8N组成的应变补偿DBR可以更好地提高空穴注入效率，优化器件光电性能。
文章目录
0引 言
1 模拟与计算方法
2 结果与讨论
3结论
