分享好友 文档首页 文档分类 切换分类

SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面电子结构与光学性质的第一性原理研究

2024-06-04 11:14280下载
文件类型:PDF文档
文件大小:1.28M

  摘要:通过基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构及光学性质进行了研究。FAPbBrI2是带隙值为1.58 eV的直接带隙半导体材料,通过构建SnO2(110)和FAPbBrI2(001)的界面模型,其晶格失配率为4.28%,界面结合能为-0.116 eV/?2,说明此界面结构可以稳定存在。通过态密度(DOS)分析SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构,发现了主要由界面处O 2p、I 5p、Br 4p、Pb 6p轨道电子杂化形成的界面态。差分电荷密度及Bader电荷分析说明在界面处存在明显的电荷转移,这促进了界面处原子之间的成键,提高了界面稳定性。同时,有效的电荷分离也使SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的光吸收系数相比于SnO2(110)表面和FAPbBrI2(001)表面有了明显提升。

  文章目录

  0 引 言

  1 模型与计算方法

  2 结果与讨论

  2.1 体相FAPbBrI2的电子结构

  2.2 FAPbBrI2(001)面和SnO2(110)面的几何结构

  2.3 SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面模型的几何结构

  2.4 SnO2(110)/FAPbBrI2 (001)界面的稳定性分析

  2.5 SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构分析

  2.6 SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的光学性质分析

  3 结 论



登录 后下载文档


1/26专辑:论文下载

举报
收藏 0
打赏 0
评论 0