摘要：卤化物钙钛矿晶体具有平均原子序数高、载流子迁移率寿命积（μτ）大、易大面积制备、材料体系丰富等优点，已成为一类极具应用前景的新型核辐射探测材料。本文综述了国内外钙钛矿半导体单晶的生长方法及辐射探测器的研究进展。大尺寸高质量单晶的可控生长是制备高性能探测器的关键，通过革新晶体生长技术，结合阴阳离子协同掺杂、添加剂辅助工程策略可以显著提升晶体的尺寸和电学性能。钙钛矿半导体单晶在光子计数X射线成像和γ射线能谱分辨中展现出钙钛矿薄膜无法比拟的优势。然而，在进一步提升晶体的本征质量、抑制离子迁移引发的器件稳定性问题，以及优化晶体与像素芯片键合工艺等环节仍面临诸多挑战。未来研究亟需深化晶体结构与性能关系的探索，优化生长工艺参数，创新探测器构型，从而推动卤化物钙钛矿晶体在核辐射探测领域的产业化进程。
文章目录
0 引 言
1 钙钛矿单晶生长
1.1 溶液法生长
1.2 熔体法生长
2 半导体辐射探测器
2.1 X射线探测器
2.2 γ射线探测器
3 结语与展望
