文件大小：1.32M
摘要：SiC MOSFET具有低导通电阻、低开关损耗、高开关频率以及优异的反向恢复特性。器件过快的开关速度，会导致严重的开关过冲、振荡和串扰。此外其短路承受能力弱，需要保护电路具备更快的响应速度，但较高的开关变化率，又使得保护电路的快速响应与抗噪声能力难以兼顾。为确保其安全可靠工作，提出基于多段式电平调控的驱动与保护方法。驱动方法解决开关过程多个目标的协同优化问题，在获得较快的开关速度和低损耗的同时，有效抑制过冲和振荡。保护方面提出了增加补偿回路的导通压降检测电路，降低了温度和负载变化对检测精度的影响，同时提出了两段式降低栅压的关断方法，增大故障检测盲区时间以降低干扰噪声影响，并采用软关断技术，抑制关断过电压。
文章目录
0引言
1开关特性分析
1.1 开关轨迹描述
1.2 驱动电压对开关过程的影响
2 短路特性分析
3 多电平驱动保护电路
4 短路检测电路
4.1传统二极管检测短路的方法
4.2 改进短路检测方法
4.3 两段反时限保护策略
5开关轨迹调控策略
5.1正常开通调控策略
5.2正常关断调控策略
5.3过电流关断策略
5.4短路软关断策略
6试验与结果分析
6.1开关轨迹调控试验
6.2故障保护试验
7结论
