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摘要：构建铁电/半导体异质结构是现代多功能电子器件的重要发展方向。利用溶胶-凝胶方法在不同温度预处理后的n-Si衬底上制备了BiFeO3薄膜。结果表明，衬底预处理使得样品电滞回线细化变形，同时光电流变弱。结合介电–温度谱以及截面高分辨透射电子显微镜等分析表明，衬底预处理后，n-Si表面的SiOx层厚度增加，削弱了BFO与n-Si之间的pn结界面接触势垒以及相应的分压，有利于BFO的极化开关。势垒的降低伴随着界面内建电场的减小，对光生载流子分离运动的驱动力减弱。通过揭示不同SiOx厚度对铁电/半导体异质结界面及电荷迁移的影响，可为基于Si衬底的铁电集成器件的设计提供重要参考。
文章目录
1 实验
1.1 前驱溶液配制
1.2 衬底预处理
1.3 薄膜样品制备
1.4 样品表征
2 结果与讨论
2.1 物相与形貌分析
2.2 预处理对衬底介电性能的影响
2.3 界面SiOx对BiFeO3/n-Si室温电滞回线的影响
2.4 界面SiOx对BiFeO3/n-Si样品I-V特性的影响
2.5 界面SiOx对BiFeO3/n-Si样品I–t特性的影响
3 结论
