摘要：铌酸银(AgNbO3，AN)作为高性能无铅反铁电材料，在光电器件领域具有巨大潜力。本工作采用AgCl作助溶剂成功生长出高质量AN单晶，并以其[001]取向作为研究对象。结果表明：该取向单晶在200 kV/cm电场下储能密度(Wrec)达 1.34 J/cm3，储能效率（η）为30%。尤为突出的是光电性能，该单晶耐受电压高达190 V，同偏压下，漏电流与电压线性对称，且随光功率增加而增大，展现了其在高电压、高功率光电应用的卓越性能，为其在光电器件领域的潜在应用提供参考。
文章目录
1 实验
1.1 样品制备
1.2 分析表征
2 结果与讨论
2.1 成分与结构分析
2.2 电学性能
2.3 光学性能
3 结论
